全面膜厚測定ユニット

ESTM:Entire Surface Thickness Measurement Unit

全面膜厚測定ユニット
全面膜厚測定ユニットとは

全面膜厚測定ユニットとは

カメラと光源を用いて、シリコンウェハなどの上に成膜されたシリコン酸化膜（SiO2）やレジストなどの膜厚を全面測定する装置です。
組み込み可能なユニットタイプ。EFEM内などに設置でき、半導体製造装置内でIn-situかつ全数の膜厚測定を実現します。
また、ウェハ全面の膜厚を300,000 point/sec.で高速測定するため、膜厚の詳細なモニタリングやそれを用いたプロセスフィードバック、局所的な膜厚異常の検出も可能です。

LINE UP

機種一覧

全面膜厚測定ユニット ESTM:Entire Surface Thickness Measurement Unit

主な業界

半導体、シリコンウェハ製造、レジスト塗布、各種成膜

半導体業界向け。ウェハ全面を300,000 point/sec.で測定可能。製造装置に組み込み可能なユニットタイプでIn-situの製造プロセスモニタリングを実現。

FEATURE

特徴

装置構成：In-situ測定が可能なユニットタイプ

測定部はカメラと光源のシンプルな構成。測定部の下をウェハが通過するだけで全面測定が可能です。EFEM内などに設置することで、In-situ膜厚のモニタリングが可能になります。

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300,000 point/sec.の高速全面測定

ロールtoロールのインライン検査で培った高速処理技術で、300,000 point/sec.の高速測定を実現しました。これまで不可能とされていた「全数」「全面」測定を実現しました。

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ナノオーダーの薄膜測定が可能

「全面膜厚測定ユニット」は、最小20nmの薄膜まで測定が可能です。日々、薄膜化が進む半導体製造プロセスに対応します。

膜厚異常部分の検出機能を搭載

取得した膜厚データから異常部分を自動で検出します。膜厚の異常を検出した位置や個数を把握することによって、検出機能だけでなく工程管理に役立てることが可能です。

製造装置への高速フィードバック

膜厚データを外部に出力することも可能です。製造装置への高速フィードバックにご利用いただけます。

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環境への影響が少ない低パーティクル構造

駆動部を持たない構成によって、半導体製造装置内のクリーン度に影響を与えません。

MERIT

導⼊のメリット

全面膜厚測定ユニットの導入によって、以下の6つが実現可能になります。

01In-situ膜厚測定によって
リアルタイムで成膜をモニタリング		 02抜き取り測定では困難だった
全面・全数測定
03膜厚測定にかかる工数の削減 04ロット単位ではなく
ウェハ単位で不良品を検出
05製造装置の詳細な状態監視による
精密なフィードバック		 06現行装置に後付けできるユニットタイプによる
フットプリントを抑えた膜厚測定

FLOW

導⼊のフロー

導⼊のフロー

納
品
ま
で
丁
寧
に
サ
ポ
｜
ト

STEP.1
お問い合わせ
STEP.2
要求仕様および運用のヒアリング
STEP.3
厚さ測定対象のサンプルテスト

サンプルテストについて詳しく⾒る

STEP.4
仕様提案
STEP.5
仕様の最終打ち合わせ
STEP.6
ご発注
STEP.7
生産
STEP.8
出荷前の立会検査
STEP.9
納品・現地調整